u 教育布景
2003年9月-2007年6月 湖北凯时尊龙人生就是博大学，获电子信息科学与技术工学学士学位 ；
2007年9月-2010年6月 贵州大学，获微电子学与固体电子学工学硕士学位 ；
2013年9月-2017年9月 华中科技大学，获微电子学与固体电子学工学博士学位。
u 科研方向
先进存储器、柔性电子器件、神经状态器件及类脑芯片技术、人为智能
u 科研项目
[1] 广西科技厅科技打算项目：高密度、低功耗TiO2忆阻器的造备及其关键技术钻研，核准号：桂科AD19110038，2019.6~2022.5，24万元，主持。
[2] 广西精密导航技术与利用沉点尝试室盛开基金项目：低成本、高密度TiO2忆阻器的造备及钻研，核准号：DH202010，2020.1~2021.12，3万元，主持。
[3] 广西教育厅科研项目：TiO2忆阻器的造备及阻变存储机造钻研，核准号：2019KY0392，2019.4~2021.3，3万元，主持。
[4] 湖北省教育厅科研打算项目：TiO2纳米线忆阻器的造备及其阻变开关个性钻研，核准号：B2018087，2018.1~2023.6，1万元，主持。
[5] 湖北省教育厅科研打算项目：环境敦睦半导体薄膜Mg2Si的造备及其热电器件钻研，核准号：B20122903，2012.1~2014.12，1万元，主持。
[6] 广西科技大学“3331高档次人才打算”优良青年学者基金项目：氧化物忆阻器的造备及其机能钻研，核准号：？撇19Z07，2019.2~2024.2，100万元，主持。
[7] 国度天然科学基金项目：基于主客体超分子催化剂的复合光阳极构建及其光电催化水氧化机能的钻研，核准号：22269002，2023.1~2026.12，33万元，参加。
[8] 国度天然科学基金项目：ZnO基稀磁半导体异质结电阻变换、磁性及其耦合钻研，核准号：11364018，2014.1~2017.12，52万元，参加。
u 讲授工作
《电路分析》、《数字逻辑》、《仿照电子技术》、《数字电子技术》、《高频电子线路》
u 代表性学术成就
[1] Zhiqiang Yu, Tangyou Sun*, Baosheng Liu, Liang Zhang, Huajin Chen, Xiangsuo Fan*, Zijun Sun*. Self-rectifying and forming-free nonvolatile memory behavior in single-crystal TiO2 nanowire memory device. Journal of Alloys and Compounds, 2021, 858: 157749.
[2] Tangyou Sun, Yun Liu, Jie Tu, Zhiping Zhou, Le Cao, Xingpeng Liu, Haiou Li*, Qi Li, Tao Fu, Fabi Zhang, Zhiqiang Yu*. Wafer-scale high anti-reflective nano/micro hybrid interface structures via aluminum grain dependent self-organization. Materials & Design, 2020, 194: 108960.
[3] Zhiqiang Yu, Xiaopeng Qu, Weiping Yang, Jing Peng, Zhimou Xu*. A facile hydrothermal synthesis and memristive switching performance of rutile TiO2 nanowire arrays. Journal of Alloys and Compounds, 2016, 688: 37~43.
[4] Zhiqiang Yu, Xiaopeng Qu, Weiping Yang, Jing Peng, Zhimou Xu*. Hydrothermal synthesis and memristive switching behaviors of single-crystalline anatase TiO2 nanowire arrays. Journal of Alloys and Compounds, 2016, 688: 294~300.
[5] Zhiqiang Yu*, Xinwei Zhao, Baosheng Liu, Tangyou Sun, Zhimou Xu*. Hydrothermal synthesis and nonvolatile resistive switching properties of α-Fe2O3 nanosheet arrays. Chinese Physics B, 2026, 35(1): 017302.
[6] Zhiqiang Yu*, Jinhao Jia, Meilian Ou, Tangyou Sun*, Zhimou Xu. Sol-gel synthesis and nonvolatile resistive switching behaviors of wurtzite phase ZnO nanofilms. Chinese Physics B, 2025, 34(12): 127302.
[7] 余志强*, 徐佳敏, 韩旭, 陈诚, 曲信儒, 唐锦, 孙子君, 徐智谋. 金红石TiO2纳米线忆阻器的造备及阻变存储机造. 资料导报, 2024, 38(13): 23020160.
[8] Zijun Sun, Chengwen Xu, Zhen Li, Fei Guo, Baosheng Liu, Jinghua Liu, Jin Zhou, Zhiqiang Yu*, Xiong He*, Daochuan Jiang*. Construction of organic-inorganic hybrid photoanodes with metal phthalocyanine complexes to improve photoelectrochemical water splitting performance. New Journal of Chemistry, 2022, 46(19): 9111~9118.
[9] Zijun Sun*, Xiong He, Jinghua Liu, Baosheng Liu, Hongda Li, Xiaobo Jia, Zhiqiang Yu*, Haixin Chang*. Enhanced photoelectrochemical performance of hematite photoanode by decorating NiCoP nanoparticles through a facile spin coating method. Catalysis Letters, 2021, 151: 3135~3144.
[10] Zijun Sun*, Guisong Fang, Jinglin Li, Jiahuan Mo, Xiong He, Xu Wang*, Zhiqiang Yu*. Preparation of (Ti, Zr) co-doped hematite photoanode for enhanced photoelectrochemical water splitting. Chemical Physics Letters, 2020, 754: 137736.
[11] 余志强, 刘敏丽, 郎建勋, 钱楷, 张昌华*. 基于Au/TiO2/FTO结构忆阻器的开关个性与机理钻研. 物理学报, 2018, 67(15): 157302.
[12] 余志强, 张昌华*, 李时东*, 廖红华. 碳锗掺杂对硅纳米管电子结构和光电性质的影响. 无机资料学报, 2015, 30(3): 233~239.
[13] Zhiqiang Yu, Zhimou Xu*, Xinghui Wu. Electronic structure and optical properties of MgxZn1-xS bulk crystal using first-principles calculations. Chinese Physics B, 2014, 23(10): 107102.
[14] 余志强, 张昌华*, 郎建勋. P掺杂硅纳米管电子结构与光学性质的钻研. 物理学报, 2014, 63(6): 067102.
[15] 张昌华, 余志强*, 廖红华. Te掺杂单层MoS2的电子结构与光电性质. 发光学报, 2014, 35(7): 785~790.
[16] 余志强*. 硅基表延OsSi2电子结构及光电个性钻研. 物理学报, 2012, 61(21): 217102.
[17] 余志强, 谢 泉*, 肖清泉. 狭义相对论下电子自旋轨路耦合对X射线光谱的影响. 物理学报, 2010, 59(2): 925~931.
[18] 余志强, 谢 泉*, 肖清泉. 基于狭义相对论动弹质量效应的X-ray光谱分析. 光谱学与光谱分析, 2010, 30(4): 1136~1140.
[19] 余志强, 谢 泉*, 肖清泉, 赵珂杰. Mg2Si晶体结构及消光个性的钻研. 物理学报, 2009, 58(10): 6889~6893.
[20] 余志强, 谢 泉*, 肖清泉, 赵珂杰. 基于Bohr-Sommerfeld量子理论的X射线光谱分析. 物理学报, 2009, 58(8): 5318~5322.
u 发现专利：
[1] 余志强，韩旭，徐佳敏，曲信儒，陈诚，镇丹，孙子君，刘宝生，张喨，欧梅莲. 非易失性α-Fe2O3/TiO2异质结忆阻器及其造备和多值存储调控步骤. 中国发现专利，专利申请号: ZL 202210263780.3
[2] 余志强，陈诚，徐佳敏，曲信儒，韩旭，镇丹，刘宝生，孙子君，张喨，欧梅莲. 非易失性FeOOH/TiO2异质结忆阻器及其造备和多值存储调控步骤. 中国发现专利，专利授权号: ZL 202210263712.7
[3] 余志强，陈诚，镇丹，谢泉，高廷红，肖清泉，陈茜，刘宝生，徐佳敏，韩旭，曲信儒. 一种自整流ZnO薄膜忆阻器及其造备步骤. 中国发现专利，专利申请号: ZL 202210988070.7
[4] 余志强，陈诚，镇丹，谢泉，肖清泉，高廷红，陈茜，张喨，韩旭，徐佳敏，曲信儒. 一种非易失性ZnO薄膜忆阻器及其造备步骤. 中国发现专利，专利授权号: ZL 202210991849.4
[5] 唐跃龙，唐锦，黄绍芬，王洋，梁荣吉，廖丽珍，余志强，李如雪. 一种电子陶瓷封装用玻璃粉及其造备步骤. 中国发现专利，专利授权号: ZL 202311357956.2
[6] 刘宝生，张雨金，李峰，黄幼琦，张绍辉，常海欣，余志强，孙子君，贾幼波，王国富，刘静华，何雄，韩珊珊. 一种镍钴锰酸锂锂电池正极资料及其造备步骤和利用. 中国发现专利，专利授权号: ZL 202210564562.3
[7] 张昌华，宋卫东，周红艳，邓初芬，余志强，谭心堃. 一种曳引式电梯防抱闸松动安全装置. 中国发现专利，专利授权号: ZL 201410637619.3
[8] 谢泉，肖清泉，张晋敏，陈茜，余志强，赵珂杰. 环境敦睦半导体资料Mg2Si薄膜的磁控溅射造备工艺. 中国发现专利，专利授权号: ZL 201010147304.2
u 获奖与荣誉
[1] 中国钻研生电子设计较量优良领导老师奖，中国粹位与钻研生教育学会、中国科协青少年科技中心、中国电子学会，2024.7
[2] 自治区“广西高档学堂千名中青年骨干老师造就打算”入选者，广西人民当局，广西教育厅，2021.7
[3] 广西科技大学“本科毕业设计优良领导老师”，广西科技大学，2024.3
[4] 广西科技大学“钻研生就业工作先进幼我”，广西科技大学，2021.3
[5] 华中科技大学“社会活动积极分子”，华中科技大学，2014.11
[6] 贵州大学“三好钻研生”，贵州大学，2009.12